卡尔蔡司SMT有限责任公司U.马特耶卡获国家专利权
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龙图腾网获悉卡尔蔡司SMT有限责任公司申请的专利用于表征微光刻掩模的方法和设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114167682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111054459.6,技术领域涉及:G03F1/84;该发明授权用于表征微光刻掩模的方法和设备是由U.马特耶卡;H.塞茨;T.弗兰克;A.拉苏尔设计研发完成,并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于表征微光刻掩模的方法和设备在说明书摘要公布了:本发明涉及用于表征微光刻掩模的方法和设备。在根据本发明的方法中,多个单独成像过程以由检测器单元指定的像素分辨率实行,其中这些单独成像过程在位于成像光学单元中的至少一个偏振光学元件的位置方面彼此不同,其中在评估单元中评估由检测器单元记录的图像数据,其中模拟由于在微光刻投影曝光设备的操作期间在晶片平面中发生的电磁辐射的干涉的偏振依赖性而引起的偏振相关效应,其中实现在单独成像过程中获得的图像数据的转换,其在各个情况下基于通过将掩模的无结构区域成像到检测器单元上所获得的至少一个校准图像,其中相应地使用的校准图像取决于至少一个偏振光学元件的位置而被不同地选择。
本发明授权用于表征微光刻掩模的方法和设备在权利要求书中公布了:1.一种用于表征微光刻掩模的方法, -其中照明光学单元410照明旨在微光刻投射曝光设备中用于光刻工艺的掩模421的结构,并且其中成像光学单元430将所述掩模421成像到检测器单元440上,其中所述检测器单元440具有多个像素; -其中以所述检测器单元440指定的像素分辨率实行多个单独成像过程,其中这些单独成像过程在位于所述成像光学单元430中的至少一个偏振光学元件的位置方面彼此不同; -其中在评估单元450中评估由所述检测器单元记录的图像数据,其中在该评估期间模拟由于在操作所述微光刻投射曝光设备期间发生在晶片平面中的电磁辐射的干涉的偏振依赖性而引起的偏振依赖的效应; -其中该评估包括在所述单独成像过程中获得的图像数据的转换,其在各个情况下都基于通过将所述掩模421的无结构区域成像到所述检测器单元440上所获得的至少一个校准图像; -其中在该转换期间相应使用的校准图像取决于相关的单独成像过程期间的至少一个偏振光学元件的位置而被不同地选择。
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