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龙图腾网获悉立锜科技股份有限公司申请的专利切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114793053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110897436.5，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路是由廖庭维;陈建馀;游焜煌;邱建维;杨大勇设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路在说明书摘要公布了：一种切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路。该切换式转换器电路，用以根据脉宽调制信号，切换其中的电感一端的电压，以转换输入电压为输出电压。切换式转换器电路具有驱动电路，其包括上桥驱动器、下桥驱动器、上桥感测电路以及下桥感测电路。上桥感测电路用以感测上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅‑源极电压，而产生下桥使能信号，以使能下桥驱动器根据脉宽调制信号切换下桥金属氧化物半导体场效晶体管。下桥感测电路用以感测下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅‑源极电压，而产生上桥使能信号，以使能上桥驱动器根据脉宽调制信号切换上桥金属氧化物半导体场效晶体管。

本发明授权切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种切换式转换器电路，用以根据一脉宽调制信号，切换一电感的一第一端于一第一电压与一第二电压之间，以转换一输入电压为一输出电压，该切换式转换器电路包含： 一上桥金属氧化物半导体场效晶体管，耦接于该第一电压与该电感的该第一端之间； 一下桥金属氧化物半导体场效晶体管，耦接于该第二电压与该电感的该第一端之间；以及 一驱动电路，包括： 一上桥驱动器，用以根据该脉宽调制信号，产生一上桥驱动信号，而驱动该上桥金属氧化物半导体场效晶体管； 一下桥驱动器，用以根据该脉宽调制信号，产生一下桥驱动信号，而驱动该下桥金属氧化物半导体场效晶体管； 一上桥感测电路，用以感测该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅-源极电压，并根据该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅-源极电压，产生一下桥使能信号，以示意该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的不导通状态，其中，该下桥使能信号使能该下桥驱动器，根据该脉宽调制信号而切换该下桥金属氧化物半导体场效晶体管；以及 一下桥感测电路，用以感测该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅-源极电压，并根据该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅-源极电压，产生一上桥使能信号，以示意该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的不导通状态，其中，该上桥使能信号使能该上桥驱动器，根据该脉宽调制信号而切换该上桥金属氧化物半导体场效晶体管， 其中，该下桥感测电路包括一下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管相同的导电型，且该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接，且该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的源极与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接，以使该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管根据该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅-源极电压，于该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的漏极产生该上桥使能信号。

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