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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于自旋轨道矩的神经元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113657586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110840235.1，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于自旋轨道矩的神经元器件是由邢国忠;王迪;林淮;刘龙;刘明设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于自旋轨道矩的神经元器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于自旋轨道矩的神经元器件，包括：依次形成在基底上的反铁磁钉扎层、第一铁磁层及自旋轨道耦合层；形成在自旋轨道耦合层上并根据自旋轨道矩使磁畴壁移动的自由层；形成在自由层上的隧穿层；形成在自由层两侧并具有相反磁化方向的左钉扎层与右钉扎层；形成在隧穿层上的参考层；其中，自由层、隧穿层及参考层构成磁性隧道结，该磁性隧道结用于读取神经元信号。本公开还提供了一种基于自旋轨道矩的神经元器件的制备方法。

本发明授权一种基于自旋轨道矩的神经元器件在权利要求书中公布了：1.一种基于自旋轨道矩的神经元器件，其特征在于，包括： 依次形成在基底上的反铁磁钉扎层（111）、第一铁磁层（110）及自旋轨道耦合层（109）； 形成在所述自旋轨道耦合层（109）上并根据自旋轨道矩使磁畴壁移动的自由层（107）； 形成在所述自由层（107）上的隧穿层（103）； 形成在所述自由层（107）两侧并具有相反磁化方向的左钉扎层（102）与右钉扎层（106）； 形成在所述隧穿层（103）上的参考层（104）；其中，所述自由层（107）、所述隧穿层（103）及所述参考层（104）构成磁性隧道结，所述磁性隧道结用于读取神经元信号； 所述自旋轨道耦合层（109）由Ta、W、Mo中的一种或多种材料构成； 形成在所述反铁磁钉扎层（111）及所述第一铁磁层（110）之间的第二铁磁层（113）； 在所述自旋轨道耦合层（109）未设置有自由层（107）的上表面两侧设置左电极（101）和右电极（108）； 所述自旋轨道耦合层（109）用于实现神经元的积累和泄露特性； 其中，在所述自旋轨道耦合层（109）通入电流时，基于自旋霍尔效应产生垂直方向的自旋流，在所述自旋轨道矩的作用下，实现畴壁的运动，模拟生物神经元的积累特性；在所述自旋轨道耦合层（109）没有电流时，所述自由层（107）和所述第一铁磁层（110）通过所述自旋轨道耦合层（109）的RKKY作用铁磁或反铁磁的耦合起来，使得所述自由层（107）中畴壁存在与电流驱动方向相反的运动趋势，实现生物神经元的泄露特性。

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