环球晶圆股份有限公司施英汝获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利接合用晶片结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110780745.4，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权接合用晶片结构及其制造方法是由施英汝;吴伟立;罗宏章设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合用晶片结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种接合用晶片结构及其制造方法，所述接合用晶片结构包括支撑基板、接合层以及碳化硅层。接合层形成在支撑基板的表面，碳化硅层接合在所述接合层上，其中碳化硅层的碳面与接合层直接接触。所述碳化硅层的基面位错BPD在1000eacm2～20000eacm2之间，所述碳化硅层的总厚度变异量TTV大于所述支撑基板的总厚度变异量，所述碳化硅层的直径等于或小于所述支撑基板的直径。所述接合用晶片结构的TTV小于10μm、弯曲度Bow小于30μm以及翘曲度Warp小于60μm。
本发明授权接合用晶片结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种接合用晶片结构，其特征在于，包括： 支撑基板； 接合层，形成在所述支撑基板的一表面；以及 碳化硅层，接合在所述接合层上，其中所述碳化硅层的碳面与所述接合层直接接触，所述碳化硅层的基面位错在1000eacm2～20000eacm2之间，所述碳化硅层的总厚度变异量大于所述支撑基板的总厚度变异量，所述碳化硅层的直径等于或小于所述支撑基板的直径，且 所述接合用晶片结构的总厚度变异量小于10μm、弯曲度小于30μm以及翘曲度小于60μm。
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