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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利晶片研磨方法及晶片研磨装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180061818.2，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶片研磨方法及晶片研磨装置是由太田广树;中野裕生设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片研磨方法及晶片研磨装置在说明书摘要公布了：本发明提供使用研磨装置对晶片进行研磨的晶片研磨方法。上述晶片研磨方法包括：关于研磨对象晶片或被实施了与研磨对象晶片相同的加工处理的晶片，取得面内厚度分布信息；基于上述面内厚度分布信息，确定通过向研磨头的空间部的中央区域导入气体而对研磨对象晶片的中央部施加的压力Pc与通过向空间部的外周区域导入气体而对研磨对象晶片的外周部施加的压力Pe的压力差；确定Pc及Pe的某一方的压力，基于已确定的压力及上述压力差，确定另一方的压力；基于在研磨时通过与研磨垫接触而对研磨垫的第2环状部件的下表面施加的接触压力的设定值Pr，确定通过推压研磨头的头主体部而从头主体部向下方施加的压力Pg；以及通过在施加了已确定的Pg、Pc及Pe的状态下使研磨对象晶片的下表面与研磨垫接触，进行研磨。

本发明授权晶片研磨方法及晶片研磨装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片研磨方法，使用研磨装置对晶片进行研磨，其特征在于， 前述研磨装置具有研磨头以及研磨垫， 前述研磨头具有头主体部、第1环状部件、板状部件、膜片、第2环状部件，前述第1环状部件位于前述头主体部的下方，具有开口部，前述板状部件将前述第1环状部件的上表面侧开口部封闭，前述膜片将前述第1环状部件的下表面侧开口部封闭，前述第2环状部件位于前述膜片的下方，保持研磨对象晶片， 前述研磨垫在研磨时供研磨对象晶片的下表面及前述第2环状部件的下表面接触， 前述第1环状部件的开口部被前述板状部件和前述膜片封闭而形成的空间部具有中央区域和与该中央区域分隔的外周区域， 所述晶片研磨方法包括： 关于研磨对象晶片或被实施了与研磨对象晶片相同的加工处理的晶片，取得面内厚度分布信息； 基于前述面内厚度分布信息，确定Pc与Pe的压力差，前述Pc为通过向前述中央区域导入气体而对研磨对象晶片的中央部施加的压力，前述Pe为通过向前述外周区域导入气体而对研磨对象晶片的外周部施加的压力； 确定Pc及Pe的某一方的压力，基于已确定的压力及前述压力差，确定另一方的压力； 基于Pr确定Pg，前述Pr为研磨时通过与前述研磨垫接触而对前述第2环状部件的下表面施加的接触压力的设定值，前述Pg为通过推压前述头主体部而从前述头主体部向下方施加的压力； 通过在施加了已确定的前述Pg、Pc及Pe的状态下使研磨对象晶片的下表面与前述研磨垫接触，进行研磨。

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