泰科天润半导体科技(北京)有限公司张瑜洁获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110613801.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法是由张瑜洁;施广彦;刘刚;李志君;黄波设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法，所述器件包括：衬底层；缓冲层设于所述衬底层上侧面；至少一块埋层，所述埋层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层宽度小于所述缓冲层宽度；漂移层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层设于所述缓冲层以及漂移层之间，所述漂移层上设有至少一个漂移凹槽；至少一块绝缘型多晶硅层，所述绝缘型多晶硅层设于所述漂移凹槽内，所述绝缘型多晶硅层设有一多晶硅凹槽；至少一块肖特基接触电极，所述肖特基接触电极设于所述多晶硅凹槽内；阳极设于所述漂移层上，且与所述绝缘型多晶硅层以及肖特基接触电极连接；阴极连接至所述衬底层下侧面；解决器件元胞面积过大的问题。
本发明授权一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件，其特征在于：包括： 一衬底层； 一缓冲层，所述缓冲层设于所述衬底层上侧面； 至少一块埋层，所述埋层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层宽度小于所述缓冲层宽度； 一漂移层，所述漂移层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层设于所述缓冲层以及漂移层之间，所述漂移层上设有至少一个漂移凹槽； 至少一块绝缘型多晶硅层，所述绝缘型多晶硅层设于所述漂移凹槽内，所述绝缘型多晶硅层设有一多晶硅凹槽； 至少一块肖特基接触电极，所述肖特基接触电极设于所述多晶硅凹槽内； 一阳极，所述阳极设于所述漂移层上，且与所述绝缘型多晶硅层以及肖特基接触电极连接； 一阴极，所述阴极连接至所述衬底层下侧面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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