联华电子股份有限公司吴奕廷获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115482852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110598874.1，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构是由吴奕廷;黄正同;王荏滺;谢咏净;杨伯钧;陈健中;李柏昌设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构，其中该磁阻式随机存取存储器电路结构中的存储单元具有依序串联的三个晶体管以及四个磁隧穿结，其中第一晶体管与第三晶体管的连接处为第一结点，第二晶体管与第三晶体管的连接处为第二结点，第一晶体管与第三晶体管的另一端连接到一共同的来源线，第一磁隧穿结与第二磁隧穿结串联构成第一磁隧穿结组且一端连接到第一结点，第三磁隧穿结与第四磁隧穿结串联构成第二磁隧穿结组且一端连接到该第二结点。
本发明授权磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构在权利要求书中公布了：1.一种磁阻式随机存取存储器电路结构，具有多个存储单元，其中每个存储单元包含： 三个晶体管，分别为依序串联的第一晶体管、第三晶体管以及第二晶体管，其中该第一晶体管与该第三晶体管的连接处为第一结点，该第二晶体管与该第三晶体管的连接处为第二结点，该第一晶体管与该第二晶体管的另一端连接到共同的来源线；以及 四个磁隧穿结，分别为第一磁隧穿结、第二磁隧穿结、第三磁隧穿结以及第四磁隧穿结，其中该第一磁隧穿结与该第二磁隧穿结串联构成第一磁隧穿结组，该第一磁隧穿结组的一端连接到该第一结点，该第三磁隧穿结与该第四磁隧穿结串联构成第二磁隧穿结组，该第二磁隧穿结组的一端连接到该第二结点， 其中该第一磁隧穿结组中的该第一磁隧穿结与该第二磁隧穿结分别为尺寸较小的磁隧穿结与尺寸较大的磁隧穿结，该第二磁隧穿结组中的该第三磁隧穿结与该第四磁隧穿结分别为尺寸较小的磁隧穿结与尺寸较大的磁隧穿结。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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