新唐科技股份有限公司陈暐钧获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110588154.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈暐钧;陈旷举;刘汉英设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：形成凹槽在基板上。凹槽具有侧表面与底表面。形成第一介电层于凹槽的侧表面与底表面、以及基板上，以使第一介电层具有沟槽。填充第一导电材料于沟槽中。回蚀第一导电材料，以形成第一导电层并暴露位于凹槽的侧表面上的第一介电层的一部分。刻蚀第一介电层，使得位于凹槽的侧表面上的第一介电层的上述部分具有沿着远离凹槽的底表面的方向变小的宽度。填充第二导电材料于沟槽中，以形成在第一导电层上的第二导电层。本发明实施例提供的半导体结构及其形成方法，能够减少或避免产生在被形成的导电结构中的缺陷，来获得具有更优良的电性特征及可靠性的半导体结构。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成一凹槽在一基板上，所述凹槽具有一侧表面与一底表面； 形成一第一介电层于所述凹槽的所述侧表面与所述底表面、以及所述基板上，以使所述第一介电层具有一沟槽； 填充一第一导电材料于所述沟槽中； 回蚀所述第一导电材料，以形成一第一导电层并暴露位于所述凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的一部分； 刻蚀所述第一介电层，使得位于所述凹槽的所述侧表面上的所述第一介电层的所述部分具有沿着远离所述凹槽的所述底表面的方向变小的宽度； 填充一第二导电材料于所述沟槽中，以形成在所述第一导电层上的一第二导电层； 移除所述第二导电层的一部分，使得所述第二导电层的顶表面平行或低于所述基板的顶表面，并留下一导电结构； 移除所述第一介电层的一部分，使得所述第一介电层的顶表面低于所述导电结构的顶表面； 形成一第二介电层于所述第二导电层上；及 形成一第三导电层于所述第二介电层上。
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