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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利存储单元及其阵列和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110427556.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权存储单元及其阵列和制备方法是由王宪程设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元及其阵列和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储单元及其阵列和制备方法，存储单元包括：设置有源结构和栅极结构的多个晶体管；位于所述多个晶体管上方的处于同一高度的相互隔开的多个区域金属层；连接晶体管和区域金属层的多个导电插塞，部分或全部的所述导电插塞采用一连续的联接构件，以实现所述栅极结构和或有源结构与对应的区域金属层的电连接；本发明采用单一的联接构件，节省了传统接触构件和导通构件的错位面积，进一步地，提供8管的存储单元中四个晶体管共用第三栅极结构作为晶体管栅极结构并形成连通，第六接触构件与三对晶体管T2和T6、T3和T7、T4和T8共用的有源结构区连接，第六接触构件可作为数据节点，以实现6个晶体管之间的数据传输。

本发明授权存储单元及其阵列和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 设置有源结构和栅极结构的多个晶体管； 位于所述多个晶体管上方的处于同一高度的相互隔开的多个区域金属层； 连接晶体管和区域金属层的多个导电插塞，部分或全部的所述导电插塞采用一连续的联接构件，以实现所述栅极结构和或有源结构与对应的区域金属层的电连接； 各单元的最底层是一基体，所述基体衬底层，衬底层上设置栅极结构和有源结构，阻挡层抵接栅极结构的侧壁，所述阻挡层与栅极结构高度平齐，介质层填充阻挡层的凹槽且与栅极结构高度平齐；终止层覆盖在栅极结构、阻挡层、介质层的上方，终止层上方设置介质层，介质层包括下层间介质层和上层间介质层，上层间介质层上设置停止层，蚀刻停止层并填充形成多个金属层； 在栅极结构上方开设贯穿所述下层间介质层和上层间介质层且暴露该栅极结构的开口，在开设的开口中分批次填充形成堆叠的至少三层联接结构，先形成与栅极结构抵接的最底部的一层联接结构，最后形成与金属层抵接的最顶部的一层联接结构，将联接构件拆分为多层联接结构来实现，采用多层联接结构能避免开口深宽比过大所带来的填充间隙问题，提高填充质量。

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