京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司王亚丽获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利天线单元及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115398746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180000557.3,技术领域涉及:H01Q1/38;该发明授权天线单元及其制备方法、电子设备是由王亚丽;曲峰设计研发完成,并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本天线单元及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了:一种天线单元,包括:叠设的第一基板、第二基板和第三基板。第二基板具有第一开槽区域。在第一基板、第二基板的第一开槽区域和第三基板形成的腔体内设置液晶层。第一基板包括:第一基底、位于第一基底靠近第二基板一侧的接地层、位于第一基底远离第二基板一侧的馈电结构层。接地层和馈电结构层在第二基板上的正投影与第一开槽区域在所属第二基板上的正投影存在交叠。第三基板包括:第三基底、位于第三基底靠近第二基板一侧的辐射结构层;辐射结构层在第二基板上的正投影位于第一开槽区域在所属第二基板上的正投影内。
本发明授权天线单元及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了:1.一种天线单元,包括: 叠设的第一基板、第二基板和第三基板,所述第二基板具有第一开槽区域,在所述第一基板、第二基板的第一开槽区域和第三基板形成的腔体内设置液晶层; 所述第一基板包括:第一基底、位于所述第一基底靠近所述第二基板一侧的接地层、位于所述第一基底远离所述第二基板一侧的馈电结构层,所述馈电结构层包括馈电部、位于所述馈电部相对两侧的接地电极;所述接地层和馈电结构层在所述第二基板上的正投影与所述第一开槽区域在所属第二基板上的正投影存在交叠; 所述第三基板包括:第三基底、位于所述第三基底靠近所述第二基板一侧的辐射结构层;所述辐射结构层在所述第二基板上的正投影位于所述第一开槽区域在所属第二基板上的正投影内; 所述第一基底上设置有多个金属化过孔,所述接地电极通过所述多个金属化过孔与所述接地层电连接; 所述接地层具有第二开槽区域,所述馈电部远离所述接地电极一侧的端部在所述第一基底上的正投影位于所述第二开槽区域在所述第一基底上的正投影内。
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