台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司陈彝梓获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利存储器电路及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114708896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110218704.6，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器电路及其操作方法是由陈彝梓;吴经纬;谢豪泰;廖宏仁;吴福安;万和舟;杨秀丽设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器电路及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器电路及其操作方法。一种存储器电路，包括：NAND逻辑门、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第一反相器和第一锁存器。NAND逻辑门被配置为接收第一位线信号和第二位线信号，并且生成第一信号。第一N型晶体管耦合至NAND逻辑门，并且被配置为接收第一预充电信号。第二N型晶体管耦合至第一N型晶体管和参考电压源，并且被配置为接收第一时钟信号。第一反相器耦合至NAND逻辑门，并且被配置为输出从第一信号反相的数据信号。第一锁存器耦合至NAND逻辑门，并且被配置为响应于至少第一时钟信号或第一预充电信号而锁存第一信号。
本发明授权存储器电路及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器电路，包括： NAND逻辑门，被配置为接收第一位线信号和第二位线信号，并且生成第一信号； 第一N型晶体管，耦合至所述NAND逻辑门，并且被配置为接收第一预充电信号； 第二N型晶体管，耦合至所述第一N型晶体管和参考电压源，并且被配置为接收第一时钟信号； 第一反相器，耦合至所述NAND逻辑门，并且被配置为输出从所述第一信号反相的数据信号；以及 第一锁存器，耦合至所述NAND逻辑门，并且被配置为响应于至少所述第一时钟信号或所述第一预充电信号而锁存所述第一信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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