联华电子股份有限公司李伟齐获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110011339.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法是由李伟齐;叶书玮;陈昌宏设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法，其中该静态随机存取存储器的布局图案至少包含一基底，多条鳍状结构位于该基底上，多条栅极结构位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该基底上，其中该多个晶体管包含，一第一上拉晶体管PU1、一第一下拉晶体管PD1、一第二上拉晶体管PU2、一第二下拉晶体管PD2、一第一存取晶体管PG1、一第二存取晶体管PG2、一第一读取晶体管RPD与一第二读取晶体管RPG，以及一增设鳍状结构，其中该增设鳍状结构位于该第一存取晶体管PG1的该鳍状结构与该第二读取晶体管RPG的该鳍状结构之间。
本发明授权静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器的布局图案，其特征在于，至少包含: 基底； 多条鳍状结构，位于该基底上； 多条栅极结构，位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该基底上，其中每一个晶体管包含有部分的该栅极结构跨越部分该鳍状结构，其中该多个晶体管包含： 第一上拉晶体管PU1、第一下拉晶体管PD1、第二上拉晶体管PU2与第二下拉晶体管PD2，共同组成栓锁电路latch； 第一存取晶体管PG1与第二存取晶体管PG2连接该栓锁电路；以及 相互串联的第一读取晶体管RPD与第二读取晶体管RPG，其中该第一读取晶体管RPD的所包含的该栅极结构连接该第一下拉晶体管PD1的该栅极结构；以及 增设鳍状结构，其中该增设鳍状结构位于该第一存取晶体管PG1的该鳍状结构与该第二读取晶体管RPG的该鳍状结构之间，该增设鳍状结构的长度小于该多条鳍状结构的长度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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