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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011587377.3，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法是由方玲刚设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器及其制作方法，其中该多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器包含一基底，具有一电容形成区域；一第一电容介电层，设置在电容形成区域上；一第一多晶硅电极，设置在第一电容介电层上；一第二电容介电层，设置在第一多晶硅电极上；一第二多晶硅电极，设置在第二电容介电层上；一第三多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第一侧壁；一第三电容介电层，设置在第三多晶硅电极和第二多晶硅电极之间；一第四多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第二侧壁；以及一第四电容介电层，设置在第四多晶硅电极和第二多晶硅电极之间。

本发明授权多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器，其特征在于，包含： 半导体基底，其上具有电容形成区域； 第一电容介电层，设置在该电容形成区域上； 第一多晶硅电极，设置在该第一电容介电层上； 第二电容介电层，设置在该第一多晶硅电极上； 第二多晶硅电极，设置在该第二电容介电层上，其中该第一多晶硅电极包含接触部，该接触部突出超过该第二多晶硅电极的端面； 第三多晶硅电极，设置在邻近该第二多晶硅电极的第一侧壁，其中该第三多晶硅电极面对该第一多晶硅电极的第三侧壁； 第三电容介电层，设置在该第三多晶硅电极和该第二多晶硅电极之间； 第四多晶硅电极，设置为邻近于该第二多晶硅电极的第二侧壁，其中该第二侧壁和该第一侧壁是相对的；以及 第四电容介电层，设置在该第四多晶硅电极与该第二多晶硅电极之间，其中，该第一多晶硅电极、该第三多晶硅电极和该第四多晶硅电极电连接至阳极，该第二多晶硅电极电连接至阴极，又其中，该第三多晶硅电极、该第三电容介电层和该第二多晶硅电极构成第一电容，该第一多晶硅电极、该第二电容介电层和该第二多晶硅电极构成第二电容，第二多晶硅电极、该第四电容介电层和该第四多晶硅电极构成第三电容，离子阱设置在该电容形成区域内并且电连接至该阴极，又其中，该第三多晶硅电极、该第一电容介电层和该离子阱构成第四电容，该第一多晶硅电极、第一电容介电层和该离子阱构成第五电容。

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