索泰克公司L·维拉沃克斯获国家专利权
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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080086896.3，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法是由L·维拉沃克斯;S·卡顿;O·罗斯设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种对基板的薄层的主表面进行蚀刻的方法，该方法包括：将基板浸入蚀刻槽中，以便将主表面暴露于蚀刻剂，基板按照如下方式相对于槽定向，以补偿薄层的厚度非均匀性：‑当基板被引入到槽中时，主表面按照引入速度从初始引入点逐渐浸入到最终引入点，并且‑当基板从槽退出时，主表面按照退出速度从初始退出点逐渐显现到最终退出点，该方法的特征在于：‑按照根据初始引入点与最终引入点之间的第一非均匀剖面蚀刻主表面的方式来选择引入速度，和或‑按照根据初始退出点与最终退出点之间的第二非均匀剖面蚀刻主表面的方式来选择退出速度。
本发明授权蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种对包括表面薄层11的基板1的主表面1a进行蚀刻的蚀刻方法，所述主表面1a对应于所述表面薄层11的自由面，所述蚀刻方法包括以下步骤：将所述基板1浸入蚀刻槽100中，以便将所述主表面1a暴露于蚀刻剂，所述基板1按照如下方式相对于所述蚀刻槽100定向，以补偿所述表面薄层11的厚度的非均匀性： -当所述基板1被引入I到所述蚀刻槽100中时，所述主表面1a按照引入速度从初始引入点PII逐渐浸入到最终引入点PFI，并且 -当所述基板1从所述蚀刻槽100移除S时，所述主表面1a按照移除速度从初始移除点PIS逐渐显现到最终移除点PFS， 所述蚀刻方法的特征在于： -按照根据所述初始引入点PII与所述最终引入点PFI之间的第一非均匀剖面蚀刻所述主表面1a的方式来选择所述引入速度，和或 -按照根据所述初始移除点PIS与所述最终移除点PFS之间的第二非均匀剖面蚀刻所述主表面1a的方式来选择所述移除速度， 其中，所述引入速度和或所述移除速度在25cms至0.1cms之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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