戴森技术有限公司M.伦达尔获国家专利权
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龙图腾网获悉戴森技术有限公司申请的专利用于溅射沉积的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090605.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于溅射沉积的方法和设备是由M.伦达尔设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于溅射沉积的方法和设备在说明书摘要公布了：公开了用于将靶材料108溅射沉积到基底116的设备100。在一种形式中，该设备包括基底引导件118和靶部分106，该基底引导件布置成沿着弯曲路径C引导基底，该靶部分与基底引导件间隔开并且布置成支撑靶材料。靶部分和基底引导件在其之间限定了沉积区114。设备包括用于向靶材料施加电偏置的偏置器件122。该设备还包括限制装置104，其包括一个或多个磁性元件104a,104b，其布置成提供限制磁场以将等离子体112限制到所述沉积区，从而在使用中提供所述靶材料到所述基底的卷材的溅射沉积，所述限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在所述沉积区中基本上遵循弯曲路径的曲线以便将所述等离子体限制成围绕弯曲路径的所述曲线。
本发明授权用于溅射沉积的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种溅射沉积设备，其包括： 基底引导件，其布置为沿着弯曲路径引导基底； 靶组件，包括： 靶部分，其与所述基底引导件间隔开并且布置成支撑靶材料，所述靶部分和所述基底引导件在其二者之间限定沉积区；以及 偏置器件，其用于向所述靶材料施加电偏置；以及 限制装置，其包括一个或多个磁性元件，所述一个或多个磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在所述沉积区中，从而在使用中提供所述靶材料到所述基底的溅射沉积，所述限制磁场的特征在于磁场线布置成，至少在所述沉积区中，基本上遵循弯曲路径的曲线以便将所述等离子体限制成围绕弯曲路径的所述曲线， 所述设备还包括等离子体生成装置，所述等离子体生成装置配置成生成等离子体， 所述偏置器件配置成以第一功率值将所述电偏置施加到所述靶材料，并且所述等离子体生成装置配置成以第二功率值生成所述等离子体，使得所述第二功率值与所述第一功率值的比率大于1。
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