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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利模拟开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112003596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011079950.X，技术领域涉及：H03K17/16；该发明授权模拟开关电路是由柯可人;张富强设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本模拟开关电路在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种模拟开关电路，所述电路包括：若干开关支路，每条开关支路包括NMOS管、PMOS管及负压保护单元，所述NMOS管的源极和漏极分别与两个端口电性连接，PMOS管的漏极和源极分别与两个端口电性连接，NMOS管和PMOS管的栅极控制信号分别为VCN和VCP，NMOS管为基于深n阱的MOS管，衬底电压为NBULK，负压保护单元用于将NMOS管的衬底电压NBULK配置为两个端口电压的较小者。本发明的模拟开关电路可以在负压中应用，并且可以实现负压保护功能，且电路简单，节省了芯片面积；消除了MOS管的体效应，减小了MOS管的导通电阻和导通阻抗变化，提高了MOS管导通的THD性能，同时解决了关闭的开关支路漏电的问题；整个开关电路无需额外的静态功耗，可实现0静态功耗。

本发明授权模拟开关电路在权利要求书中公布了：1.一种模拟开关电路，其特征在于，所述电路包括： 若干开关支路，每条开关支路包括NMOS管、PMOS管及负压保护单元，所述NMOS管的源极和漏极分别与两个端口电性连接，PMOS管的漏极和源极分别与两个端口电性连接，NMOS管和PMOS管的栅极控制信号分别为VCN和VCP，NMOS管为基于深n阱的MOS管，衬底电压为NBULK，负压保护单元用于将NMOS管的衬底电压NBULK配置为两个端口电压的较小者； 第一开关支路，电性连接于第一端口和第三端口之间，包括第一NMOS管、第一PMOS管及第一负压保护单元，所述第一NMOS管的源极和漏极分别与第一端口和第三端口电性连接，第一PMOS管的源极和漏极分别与第三端口和第一端口电性连接，第一NMOS管和第一PMOS管的栅极控制信号分别为VCN1和VCP1，第一NMOS管为基于深n阱的MOS管，衬底电压为NBULK1，第一负压保护单元用于将第一NMOS管的衬底电压NBULK1配置为第一端口电压和第三端口电压的较小者； 第二开关支路，电性连接于第二端口和第三端口之间，包括第二NMOS管、第二PMOS管及第二负压保护单元，所述第二NMOS管的源极和漏极分别与第二端口和第三端口电性连接，第二PMOS管的源极和漏极分别与第三端口和第二端口电性连接，第二NMOS管和第二PMOS管的栅极控制信号分别为VCN2和VCP2，第二NMOS管为基于深n阱的MOS管，衬底电压为NBULK2，第二负压保护单元用于将第二NMOS管的衬底电压NBULK2配置为第二端口电压和第三端口电压的较小者； 所述第一负压保护单元包括第三NMOS管和第四NMOS管，其中，第三NMOS管的栅极与第一NMOS管的源极相连，第三NMOS管的漏极与第一端口相连，第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均与衬底电压NBULK1相连，第四NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极相连，第四NMOS管的漏极与第三端口相连，第三NMOS管的衬底和第四NMOS管的衬底与第一NMOS管的衬底相连； 所述第二负压保护单元包括第六NMOS管和第七NMOS管，其中，第六NMOS管的栅极与第二NMOS管的源极相连，第六NMOS管的漏极与第二端口相连，第六NMOS管的源极和第七NMOS管的源极均与衬底电压NBULK2相连，第七NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相连，第七NMOS管的漏极与第三端口相连，第六NMOS管的衬底和第七NMOS管的衬底与第二NMOS管的衬底相连； 所述第一NMOS管的栅极控制信号VCN1由高电平AVDD和低电平NBULK1控制； 第一PMOS管的栅极控制信号VCP1由高电平AVDD和低电平0控制； 所述第二NMOS管的栅极控制信号VCN2由高电平AVDD和低电平NBULK2控制； 第二PMOS管的栅极控制信号VCP2由高电平AVDD和低电平0控制。

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