天合光能股份有限公司张原获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利晶体硅太阳能电池背电极图形结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010934896.6，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权晶体硅太阳能电池背电极图形结构是由张原;周超;高纪凡;陈红;李森设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体硅太阳能电池背电极图形结构在说明书摘要公布了：本发明属于光伏发电技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构，包括位于电池背面上的电极图形，所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点，所述的主栅和pad点为银浆料层，所述的副栅为铝浆料层。本发明提供的晶体硅太阳能电池背电极图形结构在主栅的材料上用银浆代替了铝浆，增加了pad点数量，设计了副栅汇流条，加强了主栅导流能力，有利于提升短路电流，降低串联电阻，从而提升了组件功率，减少了内部电损耗。同时，为了降低工艺精度要求，设计了副栅渐变加粗结构，保证了副栅基体和pad点的良好接触。
本发明授权晶体硅太阳能电池背电极图形结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构，包括位于电池背面上的电极图形，其特征在于，所述的电极图形包括主栅1、副栅2和pad点3，所述的主栅1和pad点3为银浆料层，所述的副栅2为铝浆料层；所述的副栅2包括若干副栅基体21和副栅汇流条23，副栅基体21与副栅汇流条23连接，每条副栅汇流条23分成若干段呈直线设置的副栅汇流条23，每两段相邻的副栅汇流条23之间设有一个pad点3且副栅汇流条23端部与pad点3连接；若干副栅基体21与pad点3连接，或者与副栅汇流条23直接连接；当副栅基体21与pad点3连接时，该副栅基体21与pad点3连接的端部设有副栅渐变加粗结构22，副栅渐变加粗结构22与pad点3固定连接；所述的pad点3包括大pad点和小pad点，其中，大pad点设置于每个半片电池片的每根主栅线11的首部和或尾部，若干个小pad点沿每根主栅线11的长度方向等间距地分布，每个大pad点的一侧连接3根副栅基体21，每个小pad点的一侧连接一根副栅基体21。
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