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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利磁传感器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080052930.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁传感器装置是由尾込智和;山内一辉设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁传感器装置在说明书摘要公布了：磁传感器装置包括生成磁场的磁体及配置在与被检测物的传送方向正交的长边方向的磁阻效应元件。磁阻效应元件的第一电阻体31a和第二电阻体31b配置成第一电阻体31a和第二电阻体31b在传送方向上的间隔中心位于磁体在传送方向上的中心轴Cx。磁体向第一电阻体31a和第二电阻体31b施加具有被检测物的传送方向分量和长边方向分量的磁场。第一电阻体31a和第二电阻体31b配置为其间隔随着从第一电阻体31a和第二电阻体31b的一端朝向长边方向的另一端而扩大，至少两组第一电阻体31a和第二电阻体31b相对于磁体的与长边方向正交的虚拟线Cy'以线对称方式配置。

本发明授权磁传感器装置在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器装置，其特征在于，包括： 磁场产生构件，该磁场产生构件生成与被检测物交叉的磁场；以及 磁阻效应元件，该磁阻效应元件将与所述被检测物的传送方向正交的方向作为长边方向而配置在所述长边方向的直线上， 所述磁阻效应元件具有第一电阻体和第二电阻体配置成所述第一电阻体与所述第二电阻体在所述传送方向上的间隔的中心位于所述磁场产生构件在所述传送方向上的中心位置的结构， 所述磁场产生构件向所述第一电阻体和所述第二电阻体施加具有所述被检测物的传送方向的分量和所述长边方向的分量的磁场， 所述第一电阻体和所述第二电阻体配置为随着从所述第一电阻体和所述第二电阻体的一端朝向所述长边方向的另一端，所述第一电阻体和所述第二电阻体的间隔扩大， 至少两组所述第一电阻体和所述第二电阻体相对于所述磁场产生构件的与所述长边方向正交的轴以线对称方式配置， 多组所述磁阻效应元件中的第一群组配置成比所述磁场产生构件的中心轴靠近长边方向的第一侧，所述中心轴与所述磁场产生构件的长边方向的中心交叉，且垂直于所述长边方向而延伸， 多组所述磁阻效应元件中的第二群组配置成比所述中心轴靠近长边方向的第二侧， 在所述第一群组的所述磁阻效应元件中，所述第一电阻体和所述第二电阻体的一端比所述第一电阻体和所述第二电阻体的另一端更接近中心轴， 在所述第二群组的除一组之外的所有所述磁阻效应元件中，所述第一电阻体和所述第二电阻体的一端比所述第一电阻体和所述第二电阻体的另一端更接近中心轴。

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