三菱瓦斯化学株式会社冈庭正志获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱瓦斯化学株式会社申请的专利薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板和半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047344.1，技术领域涉及：H01L23/24；该发明授权薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板和半导体装置是由冈庭正志;东口鉱平;关户隆人;高野健太郎;木田刚设计研发完成，并于2020-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板和半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜，其包含：含有选自由马来酰亚胺化合物和柠康酰亚胺化合物组成的组中的至少1种的化合物A；含有选自由特定式所示的有机过氧化物组成的组中的至少1种的有机过氧化物B；和，氢过氧化物C。
本发明授权薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板和半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜，其包含： 含有选自由马来酰亚胺化合物和柠康酰亚胺化合物组成的组中的至少1种的化合物A； 含有选自由下述式1和下述式2所示的有机过氧化物组成的组中的至少1种的有机过氧化物B；和， 氢过氧化物C， 式1中，R1各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基， 式2中，R2各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基，X1表示下述式3或4所示的基团， 式3中，R3表示氢原子、甲基、或乙基，R4表示碳数1以上且3以下的亚烷基，R5表示氢原子或碳数1以上且6以下的烷基， 式4中，R6各自独立地表示氢原子、甲基、或乙基，X2表示下述通式a～c所示的基团， 式c中，n1表示1以上且5以下的整数， 所述薄膜用于预施底充胶材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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