三星电子株式会社卢昶佑获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010582091.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由卢昶佑;裵东一;裵金钟设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的掩埋绝缘层；在掩埋绝缘层上的下半导体层，下半导体层包括第一材料；在下半导体层上的沟道图案，沟道图案与下半导体层间隔开并且包括与第一材料不同的第二材料；以及围绕沟道图案的至少一部分的栅电极。
本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 在衬底上的掩埋绝缘层； 在所述掩埋绝缘层上的下半导体层，所述下半导体层包括第一子半导体层和在所述第一子半导体层上的第二子半导体层，所述第二子半导体层包括第一材料； 在所述下半导体层上的沟道图案，所述沟道图案与所述下半导体层间隔开并且包括与所述第一材料不同的第二材料，所述第二材料相对于所述第一材料具有蚀刻选择性； 围绕所述沟道图案的至少一部分的栅电极；以及 在所述下半导体层上的源极漏极区域，所述源极漏极区域连接到所述沟道图案， 其中所述下半导体层包括源极漏极凹陷，以及 其中所述源极漏极区域的一部分填充所述源极漏极凹陷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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