福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210062077.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器是由张钦福;林昭雄;朱家仪;童宇诚;赖惠先设计研发完成，并于2020-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体存储器件，包括半导体基板，其具有存储区以及位于所述存储区周围的外围区和多条字线结构，其中位于存储单元区边缘的有源区仅和一条字线结构相交，避免边缘的有源区由于其性能不稳定而使得整个存储器件的性能受到影响。以及，器件的存储单元区与外围区具有同样的单元设置，可以解决图形密度不同所导致的微负载效应问题并让出更多的存储单元区域。
本发明授权半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于，包含： 半导体基板，具有存储单元区以及位于所述存储单元区周围的外围区； 器件隔离层，界定出多个沿着第三方向延伸的有源区，其中一部分有源区完全位于所述存储单元区内而构成第一有源区，还有一部分有源区位于所述存储单元区的边缘并延伸至外围区而构成第二有源区；以及， 多条字线结构，埋入在所述半导体基板中并沿着第一方向延伸，其中所述第一有源区和两条字线结构相交，所述第二有源区和一条字线结构相交； 位线结构，位于所述半导体基板之上，并往第二方向延伸经过所述存储单元区与所述外围区； 间隔物结构，位于所述位线结构之间； 存储节点接触结构，位于所述存储单元区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中，并与所述半导体基板中的部分有源区连接；以及 牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中； 其中，所述第二有源区中位于所述存储单元区的端部上连接有所述存储节点接触结构，所述第二有源区中位于所述外围区的端部上方形成有所述牺牲层。
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