北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司徐琳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司申请的专利一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010495375.5，技术领域涉及：H10K85/20；该发明授权一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法是由徐琳;张志勇;彭练矛设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有高κ或异质埋氧层的窄带隙半导体晶体管及其制备方法，该晶体管具有一衬底，其上具有一高κ或异质埋氧层，该高κ或异质埋氧层上具有一窄带隙半导体沟道层以及栅结构，该栅结构包括两侧墙以及位于其中的栅极，在栅结构两侧具有源极和漏极。本发明的晶体管实现优化半导体晶体管，尤其是窄带隙半导体晶体管能带分布的器件结构，通过调控漏端的能带，从而能够抑制关态电流和静态能耗，并且能够与产业化半导体工艺相兼容，能够实现大规模集成化制备。
本发明授权一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种短沟道窄带隙半导体晶体管，包括一衬底，其特征在于，在所述衬底上具有一异质埋氧层，所述异质埋氧层具有宽度为L1的低κ埋氧层和宽度为L2的高κ埋氧层，其中L1L2； 在所述低κ埋氧层和所述高κ埋氧层上具有一窄带隙半导体沟道层，在所述窄带隙半导体沟道层上具有一栅结构，所述栅结构包括两侧墙以及位于所述侧墙之间的栅介质层和栅极，在所述栅结构两侧具有源极和漏极，所述漏极位于所述高κ埋氧层一侧； 所述窄带隙半导体沟道层宽度大于等于所述栅结构宽度，所述源极和漏极与所述窄带隙半导体沟道层侧面接触或者覆盖所述窄带隙半导体沟道层的超出部分形成源漏极接触。
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