钰创科技股份有限公司卢超群获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉钰创科技股份有限公司申请的专利具有低漏电流的晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010467658.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有低漏电流的晶体管及其制造方法是由卢超群;甘万达设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有低漏电流的晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低漏电流的晶体管及其制造方法。所述晶体管包含一基板，一栅极，多个间隔层，多个衬垫介电层，一源极，和一漏极。所述栅极具有一第一介电常数。所述多个间隔层具有一第二介电常数。所述多个衬垫介电层具有一第三介电常数。所述源极和所述漏极相邻于所述多个间隔层以及设置在相对于所述栅极的相反方向上。所述第一介电常数，所述第二介电常数，及所述第三介电常数彼此不同。因此，相较于现有技术，本发明可更有效低地降低栅极诱导漏极的漏电流，短沟道效应，关闭电流，或结漏电流。
本发明授权具有低漏电流的晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低漏电流的晶体管，包含∶ 一基板； 一栅极，形成在一栅极介电层之上，其中所述栅极介电层具有一第一介电常数； 多个间隔层，具有一第二介电常数； 多个衬垫介电层，形成在所述多个间隔层之下以及具有一第三介电常数， 其中所述多个衬垫介电层的至少一者具有多个厚度，所述第一介电常数大于所述第二介电常数，以及所述第二介电常数大于所述第三介电常数；及 一源极和一漏极，形成在所述基板之中，其中所述源极和所述漏极相邻于所述多个间隔层以及设置在相对于所述栅极的相反方向上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人钰创科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号