台湾积体电路制造股份有限公司蔡伊甄获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010460082.3，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡伊甄;曾元泰;徐晨祐设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一电极，其位于所述衬底上方；第二电极，其位于所述第一电极上方；及第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括： 衬底； 第一电极，其位于所述衬底上方； 第二电极，其位于所述第一电极上方； 第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间， 其中所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离，且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，所述第二部分具有由所述第二电极暴露的顶表面及耦合所述顶表面和所述第一部分的侧壁，所述第一部分的顶表面和所述第二部分的所述侧壁形成第一角落，且所述第二部分的所述顶表面和所述第二电极的侧壁形成第二角落；及 第三电极，其位于所述第二电极上方且具有一上部及分別接触所述上部的两侧壁的一第一下部和一第二下部，其中所述上部的底面高于所述第二电极的最顶面，所述第一下部的底面和所述第二下部的底面低于所述第二电极的所述最顶面，所述第一下部的侧壁对齐所述第一绝缘层的第一侧壁，且所述第二下部的侧壁对齐所述第一绝缘层的第二侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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