富士电机株式会社原田祐一获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113316852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080007233.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由原田祐一;野口晴司;小宫山典宏;伊仓巧裕;樱井洋辅设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置，具备与栅电极电连接的多个栅极沟槽部、以及与发射电极电连接的多个虚设沟槽部，所述半导体装置具备：第一沟槽组，其包括一个栅极沟槽部、以及与所述栅极沟槽部相邻并且彼此相邻的两个虚设沟槽部；以及第二沟槽组，其包括彼此相邻的两个栅极沟槽部。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备与栅电极电连接的多个栅极沟槽部、以及与发射电极电连接的多个虚设沟槽部， 所述半导体装置具备： 第一沟槽组，其包括不与任何其他栅极沟槽部相邻的仅一个栅极沟槽部、以及与所述仅一个栅极沟槽部相邻地设置并且彼此相邻的两个虚设沟槽部；以及 第二沟槽组，其包括所述多个栅极沟槽部中的彼此相邻的两个所述栅极沟槽部， 所述第一沟槽组与所述第二沟槽组以预定的比率重复地配置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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