夏普株式会社青木智久获国家专利权
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龙图腾网获悉夏普株式会社申请的专利显示装置以及显示装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080101372.7，技术领域涉及：G09G3/3208；该发明授权显示装置以及显示装置的制造方法是由青木智久;蜂谷笃史;齐藤裕一;古川博章设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置以及显示装置的制造方法在说明书摘要公布了：一种具备像素电路PC的显示装置10，在像素电路中形成有包括结晶硅半导体层SC的第一结构的驱动晶体管T4和电容元件Cp，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极15a电连接的第一电容电极17a、与第一电容电极相对的第二电容电极19a、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜18a，介电膜18a形成在与第一层间绝缘膜16和第二层间绝缘膜20不同的层。
本发明授权显示装置以及显示装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，其包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管和第二结构的晶体管，所述第一结构的晶体管包含结晶硅半导体层和第一栅极，所述第二结构的晶体管包含氧化物半导体膜和第二栅极，其特征在于，具备： 第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一栅极； 第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二栅极； 第一栅极绝缘膜，其配置在所述结晶硅半导体层与所述第一栅极之间；以及 第二栅极绝缘膜，其配置在所述氧化物半导体膜与所述第二栅极之间， 在所述像素电路中，形成有作为所述第一结构的晶体管的驱动晶体管和电容元件， 所述电容元件包括：第一电容电极，其与所述驱动晶体管的第一栅极电连接；第二电容电极，其与所述第一电容电极相对；以及电介质膜，其配置在所述第一电容电极以及第二电容电极之间， 所述电介质膜形成在与所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜不同的层， 所述电介质膜与所述第二栅极绝缘膜同层且由相同材料形成， 所述电介质膜和所述第二栅极绝缘膜分别形成为岛状。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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