北京燕东微电子科技有限公司周源获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111192924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911416623.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及其制造方法是由周源;张小麟;李静怡;王超;张志文;朱林迪;袁波;刘恒;梁维佳设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；体区，位于衬底的表面上；掺杂区，自体区表面延伸至体区中；栅叠层，位于体区的表面；以及导电通道，包括穿过体区并与衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料，导电通道与掺杂区分隔，其中，掺杂区与导电通道之间形成沟道，衬底与掺杂区通过导电通道和沟道导通。该半导体器件通过在沟槽中填充导电材料形成了导电通道，由于沟槽不再用于制作沟槽栅，降低了对沟槽的刻蚀质量要求，从而降低了刻蚀难度，并通过在体区表面形成的栅叠层代替了沟槽栅，因此使得器件的阈值电压更加稳定。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 体区，位于所述衬底的表面上； 掺杂区，自所述体区表面延伸至所述体区中； 栅叠层，包括栅介质层和栅极导体层，所述栅介质层覆盖所述体区的表面，所述栅极导体层位于所述栅介质层上；以及 导电通道，包括穿过所述体区并与所述衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料，所述导电通道与所述掺杂区分隔，其中，所述体区中掺杂杂质的剂量不大于E14cm-2，并且所述导电通道具有不低于E18cm-3的杂质浓度， 其中，所述体区为第一掺杂类型，所述衬底、所述导电通道以及所述掺杂区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反， 在垂直于所述体区的厚度方向的截面上，多个所述掺杂区呈阵列排布在所述体区中，每个所述掺杂区被所述导电通道包围，其中，每个所述掺杂区与所述导电通道之间的沟道呈回字形， 所述栅极导体层接收控制电压，所述衬底与所述掺杂区之间通过所述导电通道、所述掺杂区与所述导电通道之间的沟道导通。
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