三星电子株式会社秦正起获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110854024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910736542.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体装置及其制造方法是由秦正起;崔朱逸;郑泰和;藤崎纯史设计研发完成，并于2019-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶表面上形成再分布线；和形成钝化层以覆盖半导体衬底的顶表面上的再分布线。形成再分布线包括：在半导体衬底的顶表面上形成再分布线的第一区段的第一阶段，以及在再分布线的第一区段上形成再分布线的第二区段的第二阶段。再分布线的第二区段的平均晶粒尺寸小于再分布线的第一区段的平均晶粒尺寸。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底的顶表面上形成再分布线；以及 形成钝化层以覆盖所述半导体衬底的所述顶表面上的所述再分布线， 其中形成所述再分布线包括： 第一阶段，在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述再分布线的第一区段， 第二阶段，在所述再分布线的所述第一区段上形成所述再分布线的第二区段，以及 第三阶段，在执行所述第一阶段之前在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述再分布线的第三区段，使得执行所述第一阶段在所述第三区段上形成所述第一区段， 其中，所述再分布线的所述第二区段的平均晶粒尺寸小于所述再分布线的所述第一区段的平均晶粒尺寸，并且 其中，所述再分布线的所述第三区段的平均晶粒尺寸小于所述再分布线的所述第一区段的所述平均晶粒尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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