三星电子株式会社洪思焕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910642353.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法是由洪思焕;朴容喜;徐康一设计研发完成，并于2019-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了垂直场效应晶体管VFET器件和形成器件的方法。该方法可包括：形成包括第一沟道区域和第二沟道区域的沟道区域；在衬底中形成第一腔；在第一腔中形成第一底部源极漏极；在衬底中形成第二腔；以及在第二腔中形成第二底部源极漏极。第一腔可以暴露第一沟道区域的下表面，第二腔可以暴露第二沟道区域的下表面。该方法还可以包括：在形成第一底部源极漏极和第二底部源极漏极之后，去除第一沟道区域和第二沟道区域之间的沟道区域的一部分，以将第一沟道区域与第二沟道区域分离。
本发明授权垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，该方法包括： 形成从衬底的上表面突出并沿第一水平方向纵向延伸的沟道区域，其中，所述沟道区域包括在所述第一水平方向上对齐的第一沟道区域和第二沟道区域，并且所述第一沟道区域和所述第二沟道区域分别与所述衬底的第一部分和第二部分重叠； 通过去除所述衬底的第一部分在所述衬底中形成第一腔，其中所述第一腔暴露所述第一沟道区域的下表面； 在所述衬底的第一腔中形成第一底部源极漏极； 通过去除所述衬底的第二部分在所述衬底中形成第二腔，其中所述第二腔暴露所述第二沟道区域的下表面； 在所述衬底的第二腔中形成第二底部源极漏极； 在形成所述第一底部源极漏极和所述第二底部源极漏极之后，去除所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间的所述沟道区域的一部分，以将所述第一沟道区域与所述第二沟道区域分离；和 在所述第一沟道区域的一侧上形成第一栅极结构，并在所述第二沟道区域的一侧上形成第二栅极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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