三星电子株式会社李东建获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910628665.X，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权半导体发光装置是由李东建;金柱成;徐钟旭;卓泳助设计研发完成，并于2019-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光装置在说明书摘要公布了：半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。
本发明授权半导体发光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光装置，包括： 第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型； 有源层，其在所述第一半导体层上； 第二半导体层，其在所述有源层上并具有第二导电类型，所述第二半导体层掺杂有镁，并且所述第二半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面；以及 第三半导体层，其在所述第二半导体层上并具有所述第二导电类型，所述第三半导体层掺杂的镁Mg浓度大于所述第二半导体层的镁Mg浓度，并且所述第三半导体层具有实质上平行于所述衬底的上表面的上表面以及相对于所述衬底的上表面倾斜的侧表面， 其中，所述第二半导体层包括： 侧部部分，其掺杂有第三浓度的镁；以及 上部部分，其掺杂有大于所述第三浓度的第四浓度的镁， 其中，所述侧部部分沿着水平方向的厚度大于所述上部部分的沿竖直方向的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号