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长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆堆叠方法与晶圆堆叠结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111128973B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811295887.6,技术领域涉及:H10D80/30;该发明授权晶圆堆叠方法与晶圆堆叠结构是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2018-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

晶圆堆叠方法与晶圆堆叠结构在说明书摘要公布了:本公开提供一种晶圆堆叠方法与结构。晶圆堆叠方法包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆的上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘;在所述第一晶圆上顺次制作第一下重布线层和第一上重布线层,所述第一下重布线层包括连接所述第一焊盘的第一布线,所述第一上重布线层包括连接所述第一布线的第二布线,所述第二布线具有第一引线垫;将第二晶圆键合于所述第一上重布线层上,所述第二晶圆的上表面包括设置为连接第二信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘;对所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔。本公开提供的晶圆堆叠方法可以提高具有堆叠结构的芯片的制造良品率。

本发明授权晶圆堆叠方法与晶圆堆叠结构在权利要求书中公布了:1.一种晶圆堆叠方法,其特征在于, 包括: 提供第一晶圆,所述第一晶圆的上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘; 在所述第一晶圆上顺次制作第一下重布线层和第一上重布线层,所述第一下重布线层包括连接所述第一焊盘的第一布线,所述第一上重布线层包括连接所述第一布线的第二布线,所述第二布线具有第一引线垫; 先将第二晶圆键合于所述第一上重布线层上,所述第二晶圆的上表面包括设置为连接第二信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘; 再对所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔; 所述制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔包括: 在所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作贯通孔,所述贯通孔的底部露出所述第一引线垫; 填充导电材料于所述贯通孔,所述导电材料包括金属; 在制作所述贯通孔的过程中,同时制作用于形成第二下重布线层的凹槽; 在所述第二晶圆上顺次制作第二下重布线层和第二上重布线层,所述第二下重布线层中包括连接于所述第一硅通孔的第三布线和连接于所述第二焊盘的第四布线,所述第二上重布线层中包括连接所述第三布线的第五布线和连接所述第四布线的第六布线,所述第五布线、所述第六布线分别包括第二引线垫和第三引线垫。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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