东京毅力科创株式会社稻富弘朗获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109585336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811139512.0，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基片处理装置是由稻富弘朗;中村彻;木本晃司;青山义尚设计研发完成，并于2018-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理，超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触，使液膜形成处理后的基片干燥。而且，同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。本发明能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。
本发明授权基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括： 运送区块，其配置有用于运送基片的运送装置；和 多个处理区块，其与所述运送区块相邻配置，处理由所述运送装置运送的基片， 各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件， 所述液处理组件进行在所述基片的上表面形成液膜的液膜形成处理， 所述干燥组件进行超临界干燥处理，所述超临界干燥处理通过使所述液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触，使所述液膜形成处理后的基片干燥， 同一个所述处理区块包含的所述液处理组件和所述干燥组件，相对于所述运送区块的所述运送装置的移动方向配置在相同侧， 所述干燥组件包括： 进行所述超临界干燥处理的处理区域；和 在所述运送区块与所述处理区域之间交接所述基片的交接区域， 所述处理区域和所述交接区域沿所述运送区块排列， 所述基片处理装置包括： 高压用的第一排气路径，其从所述处理区域排出所述超临界状态的处理流体；和 对所述交接区域进行排气的常压用的第二排气路径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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