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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110661498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810952869.4，技术领域涉及：H03F3/21；该发明授权功率放大器是由丁兆明设计研发完成，并于2018-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率放大器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率放大器电路。所述功率放大器电路包含压控电流源和电流镜。所述压控电流源被配置成接收第一电压且产生第一电流。所述电流镜连接到所述压控电流源且响应于所述第一电流而产生第二电流。随着所述第一电压从0V连续地改变到约1V，所述第二电流从0mA连续地改变到约120mA。

本发明授权功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种功率放大器电路，其包括： 压控电流源，其被配置成接收第一电压且产生第一电流；以及 电流镜，其连接到所述压控电流源，且被配置成响应于所述第一电流而产生第二 电流， 其中所述压控电流源进一步包括电流产生装置，其被配置成产生与所述第一电压的平方成正比的第三电流， 所述第一电流与所述第一电压的所述平方成正比， 所述电流产生装置包含放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第一场效应电晶体FET、第二FET和第三FET， 所述第一FET包含连接到所述第二FET的漏极的漏极、连接到所述第二FET的栅极的栅极和被配置成提供所述第三电流的源极， 所述第一电阻器连接到所述第一电压和所述放大器的正输入端，所述第二电阻器连接到所述放大器的所述正输入端，所述第三电阻器连接到所述放大器的负输入端和接地，且所述第四电阻器连接到所述放大器的所述负输入端和所述第二FET的源极， 所述第二FET的所述栅极连接到所述第三FET的源极，所述第二FET的所述漏极连接到第二电压、所述第一FET的所述漏极和所述第三FET的漏极，所述第三FET的栅极连接到所述放大器的输出端，且所述第一FET的所述栅极连接到所述第三FET的所述源极，且 所述电流镜包含第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的基极连接到所述第三FET的所述源极，所述第一晶体管的发射极连接到所述第二晶体管的基极，所述第一晶体管的集电极连接到所述第二电压，所述第二晶体管的集电极连接到所述第一FET的所述源极和所述第二电阻器，且所述第二晶体管的所述发射极接地。

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