合肥晶合集成电路股份有限公司黄爽获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构、半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120343962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510831476.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构、半导体器件及制备方法是由黄爽;杨杰;李阳阳;王瑞;高志杰设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构、半导体器件及制备方法。包括：提供衬底，并根据衬底制作功能层；在功能层表面制作虚栅；制作源极和漏极；虚栅包括第一、第二虚栅，第一虚栅的水平截面尺寸大于第二虚栅；在第一、第二虚栅上形成刻蚀停止层；制作层间介质层；对层间介质层执行第一化学机械研磨，露出刻蚀停止层；对刻蚀停止层执行第二化学机械研磨，露出第二虚栅；对第二虚栅执行选择性外延，在第二虚栅上形成补偿层；对补偿层和第一虚栅表面的刻蚀停止层执行第三化学机械研磨，使得补偿层和第一虚栅上的刻蚀停止层被同时去掉，露出第一、第二虚栅。采用该半导体结构的制备方法制备得到第一、第二虚栅周围的层间介质层、刻蚀停止层的厚度相近。
本发明授权半导体结构、半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括： 提供衬底，并根据衬底制作功能层； 在功能层表面制作虚栅；其中，所述虚栅包括第一虚栅和第二虚栅，所述第一虚栅的水平截面尺寸大于所述第二虚栅的水平截面尺寸； 在功能层中制作源极和漏极； 在所述第一虚栅和所述第二虚栅上形成刻蚀停止层； 制作层间介质层； 对所述层间介质层执行第一化学机械研磨，露出刻蚀停止层； 对所述刻蚀停止层执行第二化学机械研磨，露出第二虚栅； 对所述第二虚栅执行选择性外延，在所述第二虚栅上形成补偿层； 对所述补偿层和所述第一虚栅表面的刻蚀停止层执行第三化学机械研磨，使得补偿层和第一虚栅上的刻蚀停止层被同时去掉，露出第一虚栅和第二虚栅。
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