晋中学院刘艳云获国家专利权
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龙图腾网获悉晋中学院申请的专利C/Co3O4/TiO2复合电极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510795503.0，技术领域涉及：H01G11/86；该发明授权C/Co3O4/TiO2复合电极材料及其制备方法是由刘艳云;李瑀;王娜;刘宇涛;李万喜;张越越;关钰凡设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本C/Co3O4/TiO2复合电极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电化学储能技术领域，具体涉及一种CCo3O4TiO2复合电极材料及其制备方法。本发明利用原子层沉积技术先在经活化处理的碳布表面沉积Co3O4，再在Co3O4表面沉积n型半导体TiO2形成p‑n结，制得具有p‑n结的CCo3O4TiO2复合电极材料。该p‑n结不仅可以增加TiO2的光吸收，促进光生电荷分离，使光能可以参与到电极的充放电过程中，提高电极的比容量，而且p‑n结还可以形成内置电场，加速氧化还原反应过程，促进电荷转移反应，从而使具有p‑n结的CCo3O4TiO2复合电极材料具有较高的比容量和倍率性能，进而解决了现有Co3O4的比容量和倍率性能差的技术问题。
本发明授权C/Co3O4/TiO2复合电极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有p-n结的CCo3O4TiO2复合电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在酸性液体中，对碳布进行浸泡处理，碳布表面接枝含氧官能团，制得经活化处理的碳布； 钴源与第一氧源作为沉积前驱体，以原子层沉积法进行第一次沉积处理，在经活化处理的碳布表面沉积Co3O4，制得CCo3O4复合电极材料； 钛源与第二氧源作为沉积前驱体，以原子层沉积法进行第二次沉积处理，在CCo3O4复合电极材料表面沉积TiO2，p型半导体Co3O4与n型半导体TiO2形成p-n结，制得具有p-n结的CCo3O4TiO2复合电极材料。
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