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龙图腾网获悉西安电子科技大学;上海航天计算机技术研究所申请的专利一种高密度RRAM稀疏数字存内计算方法及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120255849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510740590.X，技术领域涉及：G06F7/575；该发明授权一种高密度RRAM稀疏数字存内计算方法及电路是由黄宇轩;刘奎;程利甫;尤伟设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高密度RRAM稀疏数字存内计算方法及电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高密度RRAM稀疏数字存内计算方法及电路，涉及集成电路设计领域，包括：多个RRAM存内计算单元，RRAM存内计算单元配置为通过阻值状态存储数据，进行数字计算，得到输出结果；多个数字逻辑单元，数字逻辑单元与RRAM存内计算单元电连接，数字逻辑单元配置为对输出结果进行乘累加，得到乘累加结果；外围电路单元，外围电路单元与RRAM存内计算单元电连接，外围电路单元包括读通路和写通路，配置为对RRAM存内计算单元的阻值状态同时读写；其中，一列RRAM存内计算单元对应设置一个外围电路单元。本发明能够显著提高数据读写效率。

本发明授权一种高密度RRAM稀疏数字存内计算方法及电路在权利要求书中公布了：1.一种高密度RRAM稀疏数字存内计算电路，其特征在于，包括： 阵列排布的多个RRAM存内计算单元，所述RRAM存内计算单元配置为通过阻值状态存储数据，进行数字计算，得到输出结果； 阵列排布的多个数字逻辑单元，所述数字逻辑单元与所述RRAM存内计算单元电连接，所述数字逻辑单元配置为对所述输出结果进行乘累加，得到乘累加结果；其中，同一列RRAM存内计算单元中的多个所述RRAM存内计算单元对应设置一个所述数字逻辑单元； 外围电路单元，所述外围电路单元与所述RRAM存内计算单元电连接，所述外围电路单元包括读通路和写通路，配置为对所述RRAM存内计算单元的阻值状态同时读写；其中，一列RRAM存内计算单元对应设置一个所述外围电路单元； 所述RRAM存内计算单元包括NMOS晶体管、第一RRAM和缓冲器；其中，所述NMOS晶体管的栅极与字线WL电连接，所述NMOS晶体管的漏极与所述外围电路单元电连接，所述NMOS晶体管的源极与第一节点电连接，所述第一RRAM的第一端与所述第一节点电连接，所述第一RRAM的第二端与位线BL电连接，所述缓冲器的输入端与所述第一节点电连接，所述缓冲器的输出端与所述数字逻辑单元电连接； 所述外围电路单元包括单刀双掷开关、第二RRAM和运算放大器；其中，当所述单刀双掷开关的公共端与第一端导通时，对所述RRAM存内计算单元的阻值状态进行写操作；当所述单刀双掷开关的公共端与第二端导通时，所述单刀双掷开关的第二端与第二节点电连接，所述第二RRAM的第一端与所述第二节点电连接，所述第二RRAM的第二端与所述运算放大器的输出端电连接，所述运算放大器的一个输入端与所述第二节点连接，所述运算放大器的另一个输入端接收Vclp电压信号，对所述RRAM存内计算单元的阻值状态进行读操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学;上海航天计算机技术研究所，其通讯地址为：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。