中科镓(深圳)半导体科技有限公司;中国科学院半导体研究所杨少延获国家专利权
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龙图腾网获悉中科镓(深圳)半导体科技有限公司;中国科学院半导体研究所申请的专利一种用于制备氮化镓单晶厚膜材料的衬底托盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120250149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510737040.2，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权一种用于制备氮化镓单晶厚膜材料的衬底托盘是由杨少延;杨瑞;李成明;陈庆庆;刘祥林;王奕程;张文冠;胡阿龙设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于制备氮化镓单晶厚膜材料的衬底托盘在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制备生产设备部件技术领域，尤其涉及一种用于制备氮化镓单晶厚膜材料的衬底托盘，包括：石墨托盘，顶部开设有用于放置衬底片的容纳槽、侧壁开设有定位孔、底部设有石墨基座；筒形氮化硅陶瓷保护罩，套设于石墨托盘上，顶部开设有沉积窗口，沉积窗口与容纳槽同轴设置，且沉积窗口的内径小于等于衬底片的外径，筒形侧壁开设有安装孔，通过柔性连接件将氮化硅陶瓷保护罩的筒形侧壁与石墨托盘侧壁非硬性连接紧固；氮化镓单晶厚膜材料沉积在衬底片上，且位于沉积窗口内。本发明提供的衬底托盘，便于将氮化镓单晶厚膜材料及衬底片从石墨托盘上取下，提高了氮化镓单晶材料成品率，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了耗材成本。
本发明授权一种用于制备氮化镓单晶厚膜材料的衬底托盘在权利要求书中公布了：1.一种用于制备氮化镓单晶厚膜材料的衬底托盘，其特征在于，包括： 石墨托盘，顶部开设有用于放置衬底片的容纳槽，侧壁开设有定位孔，底部开设有能够安装到氢化物气相外延反应腔室内衬底旋转基座的石墨底座； 筒形氮化硅陶瓷保护罩，套设于所述石墨托盘上，所述筒形氮化硅陶瓷保护罩顶部开设有沉积窗口，沉积窗口与所述石墨托盘的容纳槽同轴设置，且沉积窗口的内径小于或等于所述衬底片的外径，所述筒形氮化硅陶瓷保护罩的筒形侧壁开设有安装孔，通过柔性连接件将所述筒形氮化硅陶瓷保护罩的筒形侧壁与石墨托盘侧壁连接； 氮化镓单晶厚膜材料沉积在所述衬底片上，且位于所述沉积窗口内； 氮化硅陶瓷的热膨胀系数为2.53-2.75×10-6K，氮化镓单晶厚膜材料的C面内热膨胀系数为4.26-5.31×10-6K。
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