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龙图腾网获悉深圳安培龙科技股份有限公司申请的专利基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120257748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510736419.1，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统是由陈君杰;李嘉欣;楚国富;何江涛设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制备技术领域，揭露了一种基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统，包括：分析现有制备材料对应的材料性能参数，从预设材料库中筛选出现有制备材料对应的协同制备材料；对压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算压力芯片仿真模型对应的结构挠曲度；配置压力芯片的模拟环境条件，计算压力芯片仿真模型对应的零点漂移离散度；计算出压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数；从协同制备材料和现有制备材料中确定压力芯片对应的高效制备材料，对芯片制备路径进行参数优化，得到低零漂制备路径，执行对压力芯片的制备处理，得到芯片成品。本发明可以提高SOI的低零漂压力芯片的制备效率。

本发明授权基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法，其特征在于，所述方法包括： 获取低零漂压力芯片的现有制备材料和芯片制备路径，分析所述现有制备材料对应的材料性能参数，基于所述材料性能参数，从预设材料库中筛选出所述现有制备材料对应的协同制备材料； 结合所述现有制备材料、所述协同制备材料，对所述压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算所述压力芯片仿真模型对应的结构挠曲度； 查询所述压力芯片的芯片工作环境，基于所述芯片工作环境，配置所述压力芯片的模拟环境条件，在所述模拟环境条件下，对所述压力芯片仿真模型进行零点测试，得到零点测试值，基于所述零点测试值，计算所述压力芯片仿真模型对应的零点漂移离散度； 对所述压力芯片仿真模型进行温度特性测试处理，得到温度响应值，基于所述温度响应值，计算出所述压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数，其中，所述基于所述温度响应值，计算出所述压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数，包括： 构建所述温度响应值对应的温度响应散点图，对所述温度响应散点图进行线性拟合处理，得到温度响应拟合曲线； 对所述温度响应拟合曲线进行平滑处理，得到平滑温度响应曲线； 基于所述平滑温度响应曲线，构建所述压力芯片仿真模型对应的温度响应拟合方程； 调度所述压力芯片的历史温度响应数据，基于所述历史温度响应数据，对所述温度响应拟合方程进行方程修正，得到目标温度响应方程； 对所述目标温度响应方程进行求导处理，得到所述压力芯片仿真模型对应的温度灵敏方程； 基于所述温度响应值，确定所述压力芯片仿真模型对应的温度区间； 基于所述温度区间，利用所述温度灵敏方程计算出所述压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数； 结合所述结构挠曲度、所述零点漂移离散度及所述芯片温漂系数，从所述协同制备材料和所述现有制备材料中确定所述压力芯片对应的高效制备材料，对所述芯片制备路径进行参数优化，得到低零漂制备路径，结合所述高效制备材料和所述低零漂制备路径，执行对所述压力芯片的制备处理，得到芯片成品。

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