青岛海存微电子有限公司熊丹荣获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利半导体存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510724246.1，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体存储器件及其形成方法是由熊丹荣;商显涛;卢世阳;孙慧岩;马晓姿;张超;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体存储器件及其形成方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有半导体存储器件中抗磁能力与面积利用率无法同时提高的问题。该半导体存储器件，包括自旋轨道矩层以及设置于自旋轨道矩层上的第一磁隧道结、第二磁隧道结和间隔层；第二磁隧道结设置于第一磁隧道结的贯穿性开口中，间隔层填充于第一磁隧道结和第二磁隧道结之间的空隙，第一磁隧道结环绕在第二磁隧道结外侧，大大提高了第二磁隧道结的抗磁干扰能力；并且，第一磁隧道结远离间隔层的侧壁合围形成的图形为圆形或者凸多边形，且第一磁隧道结与间隔层的几何中心不重合，使第一磁隧道结还可用于实现无场翻转和多态存储，同步提高了半导体存储器件的面积利用率。
本发明授权半导体存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括自旋轨道矩层以及设置于所述自旋轨道矩层上的第一磁隧道结、第二磁隧道结和间隔层； 所述第一磁隧道结设置一贯穿性开口，所述第二磁隧道结设置于所述贯穿性开口中，且所述间隔层填充于所述第一磁隧道结和所述第二磁隧道结之间的空隙； 其中，所述第一磁隧道结远离所述间隔层的侧壁合围形成的图形为圆形或者凸多边形，所述第一磁隧道结与所述间隔层的几何中心不重合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266404 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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