中国科学院化学研究所李鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用及含硅聚合物与制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120230292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510712504.4，技术领域涉及：C08G77/26；该发明授权一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用及含硅聚合物与制备方法是由李鹏飞;张宗波;徐彩虹设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用及含硅聚合物与制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用及含硅聚合物与制备方法，属于含硅聚合物技术领域，用以解决现有含硅聚合物溶液进行纳米沟槽结构填充时，填充能力差，在形成SiO2的过程中，收缩率和应力高，致密化差，填充缺陷多等问题。一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用，所述的含硅聚合物的分子式为SixNyHzOwCv，所述的含硅聚合物的单位不饱和度为α1000，且3≤α1000≤8，。本发明的用于纳米沟槽结构填充的含硅聚合物通过筛选特定单位不饱和度的含硅聚合物，在形成SiO2的过程中，具有低收缩率、低应力，对纳米沟槽结构的致密化、无缺陷填充。
本发明授权一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用及含硅聚合物与制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含硅聚合物在纳米沟槽结构填充中的应用，其特征在于，所述的含硅聚合物的分子式为，所述的含硅聚合物的单位不饱和度为，且，； 其中，x为Si的总原子数量，y为N原子的数量，z为H原子的数量，w为O原子的数量，v为C原子的数量，Mn为所述的含硅聚合物的数均分子量； 所述的含硅聚合物的数均分子量Mn为800~20000gmol，重均分子量Mw为1000~50000gmol，分子量分布PDI为2~8； 所述的含硅聚合物的特征结构单元满足以下关系式： ； 其中，SiH3代表所述的含硅聚合物在核磁共振氢谱中SiH3对应特征峰的积分面积，峰位置在4.34ppm； NHx代表所述的含硅聚合物在核磁共振氢谱中N-H、NH2基团对应的积分面积，积分区间为1.0~2.0ppm； N代表所述的含硅聚合物中三个键都与Si原子连接的N原子数量，NHn代表含硅聚合物的N上含有H原子的N原子数量。
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