粤芯半导体技术股份有限公司赵仲文获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种混合式高压LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510705362.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种混合式高压LDMOS器件及其制备方法是由赵仲文;余文竟;许俊焯设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种混合式高压LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体高压器件技术领域，特别是涉及一种混合式高压LDMOS器件及其制备方法；本发明所述混合式高压LDMOS器件在N型漂移区内部设置浅槽隔离区的同时，在P型漂移区和所述N型漂移区表面设置厚氧化层，混合了浅槽隔离层和场板表面的厚氧化层，从而使得浅槽隔离区和厚氧化层共同作用影响源极和漏极之间的电场，显著改善了纵向电场分布，使得该混合式高压LDMOS器件取得优于纯浅槽隔离场板结构或纯氧化层场板结构的击穿电压，且相较于纯浅槽隔离和纯氧化层结构具有更低的导通电阻和更长的热载流子注入寿命，解决了基于纯氧化层结构的热载流子注入效应寿命短的问题。
本发明授权一种混合式高压LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合式高压LDMOS器件，其特征在于，包括衬底、P型漂移区、P型体区、高浓度P型掺杂区、N型漂移区、浅槽隔离区、厚氧化层、源极、栅极和漏极，其中：所述P型漂移区位于所述衬底表面一侧，所述N型漂移区位于所述衬底表面另一侧，所述P型漂移区与所述N型漂移区相接；所述P型体区位于所述P型漂移区内部；所述高浓度P型掺杂区和所述源极位于所述P型体区内部；所述高浓度P型掺杂区和所述源极相接；所述漏极位于所述N型漂移区内部； 所述浅槽隔离区位于所述N型漂移区内部，且所述浅槽隔离区位于所述源极和所述漏极之间； 所述厚氧化层位于所述P型漂移区和所述N型漂移区表面； 所述栅极位于所述P型漂移区和所述厚氧化层表面； 所述浅槽隔离区位于所述厚氧化层中部正下方； 所述栅极的边界与所述厚氧化层中心对齐，所述浅槽隔离区位于所述栅极正下方。
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