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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种具有高偏振敏感度的有机突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510701525.6，技术领域涉及：H10K30/20；该发明授权一种具有高偏振敏感度的有机突触器件及其制备方法是由董美秋;董克燕;张钰;杨兴龙设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高偏振敏感度的有机突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高偏振敏感度的有机突触器件及其制备方法，属于光电材料与神经形态计算技术领域，该器件由底往上包括第一固相基底、捕获层和有源层，有源层包括均与捕获层接触的第一二维有机分子晶体膜和第二二维有机分子晶体膜，第二二维有机分子晶体膜部分叠于第一二维有机分子晶体膜上构成Ⅱ型能带异质结，第一二维有机分子晶体膜表面设置有第一电极，第二二维有机分子晶体膜上设置有第二电极。该器件成功突破了二维半导体材料的本征各向异性限制，不仅显著降低了器件噪声，还大幅增强了光响应强度与偏振探测能力。

本发明授权一种具有高偏振敏感度的有机突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高偏振敏感度的有机突触器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在第一固相基底上制备捕获层； 在第一液相基底上制备面积小于所述捕获层的第一二维有机分子晶体膜，在第二液相基底上制备面积小于所述捕获层的第二二维有机分子晶体膜； 将所述第一二维有机分子晶体膜转移到所述捕获层上； 将所述第二二维有机分子晶体膜转移到所述捕获层上，以使得所述第一二维有机分子晶体膜与所述第二二维有机分子晶体膜形状相交并形成Ⅱ型能带异质结； 在所述第一二维有机分子晶体膜和所述第二二维有机分子晶体膜表面分别制备电极，得到所述具有高偏振敏感度的有机突触器件； 所述在所述第一二维有机分子晶体膜和所述第二二维有机分子晶体膜表面分别制备电极的步骤之前，还包括步骤： 在第三液相基底上制备面积小于所述第一二维有机分子晶体膜的第三二维有机分子晶体膜； 转移所述第三二维有机分子晶体膜到所述第一固相基底，以使第三二维有机分子晶体膜部分叠置于所述第二二维有机分子晶体膜上，余下部分叠置于所述第一二维有机分子晶体膜上，使得所述第三二维有机分子晶体膜与所述第二二维有机分子晶体膜形成另一Ⅱ型能带异质结； 所述电极包括与所述第二二维有机分子晶体膜接触的第二电极，以及既与所述第一二维有机分子晶体膜接触又与所述第三二维有机分子晶体膜接触的第一电极。

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