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龙图腾网获悉深圳超盈智能科技有限公司申请的专利一种存储芯片的数据丢失检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120216406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510690728.X，技术领域涉及：G06F12/1009；该发明授权一种存储芯片的数据丢失检测方法及系统是由夏俊杰;林华胜设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片的数据丢失检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储芯片的数据丢失检测方法及系统，涉及存储芯片技术领域，方法包括：获取存储芯片的地址映射表；结合地址映射表，确定存储芯片中两两存储单元之间的故障耦合强度；结合故障耦合强度，建立与存储单元故障概率相关的不同存储单元之间的故障传播模型；计算故障传播模型的稳态解，并结合信息熵确定存储芯片的潜在故障区域；生成潜在故障区域的差异化检测路径；按差异化检测路径对存储芯片进行检测；按检测到的故障存储单元的检测先后顺序进行依次修复；根据修复失败的故障存储单元数量输出存储芯片的数据丢失检测结果。解决了容易漏检故障链条和耦合效应的问题，提高了检测准确性和检测效率。

本发明授权一种存储芯片的数据丢失检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片的数据丢失检测方法，其特征在于，包括： S1：获取所述存储芯片的地址映射表； S2：结合所述地址映射表，确定所述存储芯片中两两存储单元之间的故障耦合强度； S3：结合所述故障耦合强度，建立与存储单元故障概率相关的不同存储单元之间故障传播模型； S4：计算所述故障传播模型的稳态解，并结合信息熵确定所述存储芯片的潜在故障区域； S5：生成所述潜在故障区域的差异化检测路径； S6：按所述差异化检测路径对所述存储芯片进行检测； S7：按检测到的故障存储单元的检测先后顺序进行依次修复； S8：根据修复失败的故障存储单元数量输出所述存储芯片的数据丢失检测结果； 其中，所述S2具体包括： S201：获取所述存储芯片的物理架构信息，其中，所述物理架构信息包括描述单个存储单元中的单位电荷影响范围的物理扩散尺度； S202：基于所述物理架构信息确定所述存储芯片中各个存储单元的物理三维坐标； S203：基于所述地址映射表建立所述存储芯片的有向无环图，其中，所述有向无环图的节点为地址映射表反映出的存储单元逻辑地址，所述有向无环图的边为在所述地址映射表中不同存储单元之间的映射关系，边属性为两个存储单元之间的历史交互次数； S204：根据所述存储芯片的物理扩散尺度和所述有向无环图，计算所述故障耦合强度； 其中，所述S4具体包括： S401：获取所述存储芯片中的故障存储单元； S402：分别将所述故障存储单元的存储单元故障概率置为1代入所述故障传播模型，更新所述故障传播模型； S403：令更新后的故障传播模型等于零，得到所述故障存储单元相对应的稳态解，其中，各个所述稳态解组成稳态分布； S404：结合所述稳态解，通过信息熵确定所述存储芯片的故障区域判别阈值； S405：保留大于所述故障区域判别阈值的目标稳态解，并将所述目标稳态解对应的存储单元所形成的连通域作为所述潜在故障区域； 其中，所述差异化检测路径的表达式具体为： ； 其中，表示差异化检测路径，表示使得函数取最大值时的候选检测路径集合，表示所述潜在故障区域中存储单元p至存储单元q的检测时间戳距当前时间戳的检测时长，表示时间衰减因子，表示p与q的故障耦合强度。

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