江苏捷捷微电子股份有限公司梁玉清获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120195527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510679455.9,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法是由梁玉清;张正荣;颜呈祥设计研发完成,并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法在说明书摘要公布了:本发明公开了检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法,涉及可控硅测试领域,该测试装置包括:整流控制切换单元,用于将正弦交流电整流为半波直流电后,控制驱动信号的延迟时间,并根据控制结果为被测可控硅提供信号,切换被测可控硅的工作象限;被测可控硅,用于为整流控制切换单元与通断控制切换单元提供测试基础的器件;通断控制切换单元,用于调节负载大小控制回路电流与通断,并结合电容的大小冲击被测可控硅,切换被测可控硅的工作象限。本发明提出的测试装置,触发电路结构简单,实现成本较低,可测试单向可控硅、双向可控硅的四个象限,同时使用整流芯片实现交直流转换,降低了测试过程中的应用成本。
本发明授权检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法在权利要求书中公布了:1.检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置,其特征在于,该测试装置包括:整流控制切换单元、被测可控硅及通断控制切换单元,且所述整流控制切换单元、所述被测可控硅及所述通断控制切换单元之间依次连接; 所述整流控制切换单元,用于将正弦交流电整流为半波直流电后,控制驱动信号的延迟时间,并根据控制结果为所述被测可控硅提供信号,切换所述被测可控硅的工作象限; 所述被测可控硅,用于为所述整流控制切换单元与所述通断控制切换单元提供测试基础的器件; 所述通断控制切换单元,用于调节负载大小控制回路电流与通断,并结合电容的大小冲击所述被测可控硅,切换所述被测可控硅的工作象限; 所述整流控制切换单元包括: 整流模块,用于将正弦交流电整流为半波直流电; 控制模块,用于控制驱动信号的延时时间; 切换模块,用于切换所述被测可控硅的工作象限; 驱动模块,用于为所述被测可控硅提供驱动信号。
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