粤芯半导体技术股份有限公司欧阳文森获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631904.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法是由欧阳文森;李世韦;王胜林设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法，涉及半导体制造技术领域。该测试晶圆制备方法包括：基于测试晶圆待生长的氮化硅膜层的预设生长次数以及预设总厚度，确定测试晶圆每次生长的氮化硅膜层的生长厚度；基于预设生长次数以及生长厚度，通过炉管工艺分批在测试晶圆的正面和背面生长氮化硅膜层，并在每次生长氮化硅膜层前将测试晶圆相对炉管内的支撑部旋转预设角度，以改变测试晶圆与支撑部接触时形成的支撑点。通过上述技术手段，可在测试晶圆上生长厚度均匀的氮化硅膜层，避免测试晶圆在支撑点处产生较大应力而出现翘曲形变甚至破片，有效延长了测试晶圆的使用寿命，实现对测试晶圆的有效循环使用。
本发明授权测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法在权利要求书中公布了：1.一种测试晶圆制备方法，其特征在于，包括： 基于测试晶圆待生长的氮化硅膜层的预设生长次数以及预设总厚度，确定所述测试晶圆每次生长的氮化硅膜层的生长厚度，所述测试晶圆每次生长的氮化硅膜层的生长厚度相同； 基于所述预设生长次数以及所述生长厚度，通过炉管工艺分批在所述测试晶圆的正面和背面生长所述氮化硅膜层，对所述测试晶圆生长的氮化硅膜层进行高温退火，并在每次生长所述氮化硅膜层前将所述测试晶圆相对炉管内的支撑部旋转预设角度，以改变所述测试晶圆与所述支撑部接触时形成的支撑点。
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