陕西半导体先导技术中心有限公司何晓宁获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西半导体先导技术中心有限公司申请的专利一种功率器件驱动器及其参数校正方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120127954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510600262.X,技术领域涉及:H02M1/08;该发明授权一种功率器件驱动器及其参数校正方法是由何晓宁;高俊泽;肖雨佳;李钊君;李阳善;李思政;张冲;文阳设计研发完成,并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率器件驱动器及其参数校正方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种功率器件驱动器及其参数校正方法,应用于功率器件驱动技术领域,数据采集模块在IGBT工作过程中采集IGBT的栅极电压和峰值电流得到采样数据;数字隔离芯片实现数据采集模块、MCU和栅压调节模块之间的电气隔离;MCU利用预设的结温校准公式,基于采样数据进行实时结温数据的校准输出校准后的结温数据;栅极驱动芯片根据控制信号输出能够驱动IGBT的栅极电压;二阶短路保护模块在IGBT发生短路时向MCU发送异常信号以使MCU向栅压调节模块发送栅压调节触发信号;栅压调节模块响应于栅压调节触发信号,控制自身降低栅极电压。基于本发明提供的功率器件驱动器及其参数校正方法提高了结温监测的精度和可靠性。
本发明授权一种功率器件驱动器及其参数校正方法在权利要求书中公布了:1.一种功率器件驱动器,其特征在于,包括:壳温采集模块、MCU、数字隔离芯片、二阶短路保护模块、栅极驱动芯片、数据采集模块以及栅压调节模块; 所述壳温采集模块,用于获取IGBT工作前的结温参数,以为所述MCU提供初始结温数据; 所述数据采集模块,用于在所述IGBT工作过程中采集所述IGBT的栅极电压和峰值电流,得到采样数据; 所述数字隔离芯片,用于实现所述数据采集模块、所述MCU以及所述栅压调节模块之间的电气隔离; 所述MCU,用于接收所述采样数据,并利用预设的结温校准公式,基于所述采样数据进行实时结温数据的校准,输出校准后的结温数据;所述预设的结温校准公式中的结温校准斜率根据所述IGBT的栅极驱动频率确定;所述预设的结温校准公式中的结温校准系数根据所述IGBT的初始结温数据和初始峰值采集电压确定;所述初始峰值采集电压根据初始峰值电流确定; 所述结温校准公式为: ; 其中,表示所述校准后的结温数据;表示所述实时结温数据;表示所述结温校准斜率;表示所述结温校准系数; 所述栅极驱动芯片,用于根据控制信号输出能够驱动所述IGBT的栅极电压;所述控制信号由所述MCU产生; 所述二阶短路保护模块,用于在所述IGBT发生短路时向所述MCU发送异常信号,以使所述MCU响应于所述异常信号,向所述栅压调节模块发送栅压调节触发信号; 所述栅压调节模块,用于响应于所述栅压调节触发信号,控制所述栅压调节模块降低所述IGBT的栅极电压,实现IGBT保护。
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