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龙图腾网获悉浙江翠展微电子有限公司申请的专利一种高速IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510577974.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种高速IGBT器件及其制造方法是由于清华;王鑫;吴瑞;彭昊设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种高速IGBT器件及其制造方法。所述高速IGBT器件包括P型集电区，N型漂移区，P型体区，N型发射区，沟槽，绝缘介质层，以及发射极金属。与栅极金属短接且与所述N型发射区相连的所述沟槽为栅极沟槽，与发射极金属短接的所述沟槽为发射极沟槽，与栅极金属短接且与所述N型发射区不相连的所述沟槽为伪栅极沟槽。所述伪栅极沟槽和所述发射极沟槽的底部设置有相互连接的掺杂区域，使得所述发射极沟槽底部的电势会被所述伪栅极沟槽底部的电势拉升。在开关时对所述发射极沟槽底部电势提供额外电荷，维持所述栅极沟槽底部电势在较高水平，缩短关断时间，减少Vce电压拖尾现象。

本发明授权一种高速IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高速IGBT器件，其特征在于：所述高速IGBT器件包括一个P型集电区，一个设置在所述P型集电区上的N型漂移区，一个设置在所述N型漂移区上的P型体区，多个设置在所述P型体区上的N型发射区，多个设置在所述P型体区上的沟槽，一个设置在所述P型体区上的绝缘介质层，以及一个设置在所述绝缘介质层上的发射极金属，所述沟槽内填充有多晶硅，所述沟槽的内壁设置有栅氧化层，所述栅氧化层位于所述多晶硅和所述沟槽之间，多个所述沟槽内的所述多晶硅分别与栅极金属和发射极金属短接，与栅极金属短接且与所述N型发射区相连的所述沟槽为栅极沟槽，与发射极金属短接的所述沟槽为发射极沟槽，与栅极金属短接且与所述N型发射区不相连的所述沟槽为伪栅极沟槽，所述伪栅极沟槽和所述发射极沟槽的底部设置有相互连接的掺杂区域，所述掺杂区域添加的杂质为磷，所述发射极沟槽底部的电势会被所述伪栅极沟槽底部的电势拉升至相近水平，通过所述掺杂区域使所述伪栅极沟槽的较高电势会对所述发射极沟槽底部电势提供额外电荷，保证两者电势同步，所述发射极沟槽和所述伪栅极沟槽相互水平分布或垂直分布。

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