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龙图腾网获悉意诚新能(苏州)科技有限公司申请的专利一种薄膜太阳电池组件互联结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510563137.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种薄膜太阳电池组件互联结构及其制备方法是由田晶;范维涛;张鑫设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜太阳电池组件互联结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜太阳电池组件互联结构及其制备方法，其包括步骤：1）选择基底沉积第一电极层；2）形成P1划线；3）沉积器件功能层；4）形成P2划线；5）沉积第二电极层；6）形成P3划线。本发明一方面基于减少死区的宽幅前提下，不仅使得P3划线所对应的器件功能层的光生载流子在漂移作用下具有一定概率可以得到收集，进而提高组件光电转换性能，而且器件功能层能够形成吸收，避免相邻子电池间的导电通道断裂，降低串联电阻；另一方面基于所形成的划槽，且划槽与凹槽之间贯通或由第二电极层隔开，不仅避免刻划边缘翘起，造成火山口，同时还须控制器件层的损伤，消除死区附近晶格缺陷，以提高开路电压和填充因子。

本发明授权一种薄膜太阳电池组件互联结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜太阳电池组件互联结构的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤： 1）选择基底，并在基底上沉积形成第一电极层； 2）在第一电极层上刻划形成P1划线，且刻划的深度为第一电极层的厚度； 3）在第一电极层和基底上依次沉积PN型功能层、本征吸收层、NP型功能层，其中PN型功能层将刻划区填平，且PN型功能层的表面为平面； 4）以P1划线为平行基准，在靠近P1划线处形成自PN型功能层向第一电极层凹陷的P2划线，且刻划的深度为NP型功能层、本征吸收层、PN型功能层三者厚度之和； 5）沉积第二电极层，其中第二电极层部分形成在NP型功能层上，部分形成在P2划线的槽内NP型功能层、本征吸收层、PN型功能层对应的槽壁，剩余部分形成在第一电极层上，且位于P2划线内的第二电极层形成凹槽，其中P1划线和P2划线之间的距离小于P2划线的宽度，P1划线的宽度小于或等于P2划线的宽度；凹槽的槽底厚度小于PN型功能层的厚度； 6）以P2划线为平行基准，在靠近P2划线处自第二电极层向NP型功能层刻划形成P3划线，且P3划线的深度为第二电极层的厚度，其中P1划线的宽度、P2划线的宽度及P1划线和P2划线之间的间隔宽度三者之和等于死区宽度；使用机械刻划P3划线，且P3划线形成划槽，划槽与凹槽之间贯通，P3划线的侧边位于死区内。

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