粤芯半导体技术股份有限公司郭祝获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510560786.0，技术领域涉及：H05K3/06；该发明授权一种通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质是由郭祝;习艳军;陈勇树设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：从预设厚度比范围中选取表征通孔深度与刻蚀阻挡层之间厚度比例关系的目标厚度比，基于通孔深度及目标厚度比确定刻蚀阻挡层厚度；基于每一层薄膜对应的层厚权重，确定待生成的多层薄膜堆叠结构中除刻蚀阻挡层外的其他薄膜层的厚度；按照每个薄膜层的厚度生成多层薄膜堆叠结构；在高压深孔隔离工艺下，按照介电层与辅助刻蚀停止层之间的高刻蚀选择比，对多层薄膜堆叠结构进行刻蚀，以生成多层薄膜堆叠结构的通孔。通过采用上述通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质，解决了在高压深孔隔离工艺下，器件的导电性和可靠性低的问题。
本发明授权一种通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种通孔生成方法，其特征在于，包括： 从预设厚度比范围中选取表征通孔深度与刻蚀阻挡层之间厚度比例关系的目标厚度比，基于所述通孔深度及所述目标厚度比确定刻蚀阻挡层厚度； 基于每一层薄膜对应的层厚权重，确定待生成的多层薄膜堆叠结构中除所述刻蚀阻挡层外的其他薄膜层的厚度； 按照每个薄膜层的厚度生成多层薄膜堆叠结构，所述多层薄膜堆叠结构包括顺序沉积的刻蚀停止层、刻蚀阻挡层及介电层，所述刻蚀阻挡层是通过化学沉积方法生成的氮氧化硅层，所述刻蚀阻挡层兼具二氧化硅的绝缘性和氮化硅的阻挡性； 在高压深孔隔离工艺下，按照所述介电层与所述刻蚀阻挡层之间的高刻蚀选择比，对所述多层薄膜堆叠结构进行刻蚀，以生成所述多层薄膜堆叠结构的通孔； 所述基于所述通孔深度及所述目标厚度比确定刻蚀阻挡层厚度，包括： 将所述通孔深度与所述目标厚度比的比值，确定为刻蚀阻挡层厚度。
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