北京弘光向尚科技有限公司李志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京弘光向尚科技有限公司申请的专利一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120065415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510531456.9，技术领域涉及：G02B6/125；该发明授权一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件是由李志伟;袁晓君设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件，其包括相互交叉的上层波导和下层波导，下层波导依次包括第一宽度固定段、第一宽度渐变段、第二宽度固定段、第二宽度渐变段、第三宽度固定段；第一宽度渐变段和第二宽度渐变段呈线性渐变梯形结构，第一宽度渐变段的宽度从第二宽度固定段开始逐渐变小，直至其宽度与第二宽度固定段的宽度相同；第二宽度渐变段的宽度从所述第二宽度固定段开始逐渐变大，直至其宽度与所述第三宽度固定段的宽度相同。本发明的波导交叉结构设计，实现了在硅基波导的低传输损耗、低反射，以及和氮化硅波导之间的低串扰。
本发明授权一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件在权利要求书中公布了：1.一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件，其包括相互交叉的上层波导和下层波导，其特征在于：所述下层波导依次包括第一宽度固定段、第一宽度渐变段、第二宽度固定段、第二宽度渐变段、第三宽度固定段；所述第一宽度渐变段和第二宽度渐变段呈线性渐变梯形结构，所述第一宽度渐变段的宽度从所述第二宽度固定段开始逐渐变小，直至其宽度与所述第二宽度固定段的宽度相同；所述第二宽度渐变段的宽度从所述第二宽度固定段开始逐渐变大，直至其宽度与所述第三宽度固定段的宽度相同；所述第二宽度固定段位于所述上层波导的下方，其长度与所述上层波导的宽度相同；所述第二宽度固定段的宽度为300nm；所述第一宽度渐变段和第二宽度渐变段的长度相同，为50µm-500µm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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